Калькуляторы

Все поля понимают инженерную запись: 4,7к = 4k7 = 4700, 100n = 100 нФ, 10мк = 10 мкФ, 20m = 20 мА. Регистр важен: m/м — милли, M/М — мега.

Закон Ома

Используется в уроках 1.2 и 1.3.

Калькулятор закона Ома

Найти:напряжение Uток Iсопротивление R

Напряжение U, ВТок I, А20m = 20 мАСопротивление R, Ом4,7к или 4k7 = 4700 Ом

Результат

—

Мощность P = U·I

—

Делитель напряжения

Используется в уроках 1.5 и 3.4.

Калькулятор делителя напряжения

Uвх, В R1, Ом R2, Ом Нагрузка Rн, Омпусто = без нагрузки

Uвых

—

Ток делителя

—

Мощность на R1 / R2

—

Выходное сопротивление R1‖R2

—

Подобрать R2 под нужное Uвых (ряд E24)

Нужно Uвых, В

Uвых = Uвх · R2 / (R1 + R2). С нагрузкой вместо R2 берётся R2‖Rн. Подробнее: Хоровиц, гл. 1, §1.03–1.05.

Мультивибратор

Используется в уроке 3.9.

Калькулятор мультивибратора

Uпит, В Rк (оба), Ом Rб1 (база Q1), Ом Rб2 (база Q2), Ом C1 (кол. Q2 → база Q1), Ф10мк = 10 мкФ, 100n = 100 нФC2 (кол. Q1 → база Q2), Ф h21э (β) минимальныйминимальный из даташита (для BC547 зависит от группы A/B/C)Светодиод в коллекторе, Uпр, В0 — без светодиода

Частота f

—

Период T

—

Q1 закрыт / Q2 закрыт

—

Коэф. заполнения D (Q1 закрыт)

—

Ток коллектора Iк

—

Запас насыщения β·Iб / Iк

—

Напряжение на коллекторах (качественно). Фронт нарастает плавно: конденсатор заряжается через Rк, τ = Rк·C.

t = ln2·Rб·C ≈ 0,693·Rб·C — приближение для Uпит ≫ 0,6 В. Реальная частота отличается на 10–20 % из-за допусков конденсаторов (у электролитов −20…+80 %) и параметров транзисторов.

Ширина дорожки

Используется в уроке 5.4.

Ширина дорожки по току (IPC-2221)

Ток I, АДопустимый перегрев ΔT, °C10 °C — осторожно, 20–30 °C — обычноДлина дорожки, ммдля расчёта падения напряжения

Внешний слойВнутренний слой

Минимальная ширина

—

То же в mil

—

Сечение

—

Сопротивление / падение U

—

Потери мощности

—

Формула IPC-2221 (ревизии B и C): I = k·ΔT^0,44·A^0,725, k = 0,048 (внешний) / 0,024 (внутренний), A — сечение в mil². Это минимум по нагреву, а не рекомендация. Новый стандарт IPC-2152 точнее, особенно для внутренних слоёв. Окончательную ширину сверяй с технологическими нормами производителя и добавляй запас.

Микрополосковая линия

Используется в модуле 12 (ВЧ- и СВЧ-платы) и в уроке 9.2.

Микрополосковая линия

Ширину по Z0Z0 по ширине

εr Толщина диэлектрика h, ммдо ближайшего слоя землиНужное Z0, Ом Ширина W, мм Частота, МГц

Ширина W

—

εэфф

—

λ в линии (λг)

—

Четверть волны λг/4

—

Задержка

—

W/h

—

Формулы Хаммерстада–Йенсена (1980), точность около 1 %. Не учтены толщина меди (снижает Z0 на 1–3 %), паяльная маска (снижает Z0 ещё на 1–2 Ом) и рост εr с частотой. У FR-4 εr плавает от партии к партии (обычно 4,0–4,7): для серийной платы заказывай контроль импеданса у производителя и бери его расчёт.

Стек слоёв платы

Используется в уроках 4.3 и 9.1.

Стек слоёв печатной платы

2 слоя, 1,6 мм4 слоя, 1,6 мм

Показать переходное отверстие

Шелкография (верх)Паяльная маска (верх)Медь, верхний слойДиэлектрик (ядро)Медь, нижний слойПаяльная маска (низ)Шелкография (низ)

Нажми на слой, чтобы узнать о нём.

Общая толщина: ≈ 1,6 мм. Рисунок не в масштабе.

Типовые значения для ориентира. Точный стек (толщины препрегов, ядра, меди) берётся из технологических норм производителя. Стандарт материалов — IPC-4101.

Условные графические обозначения

Используется в уроке 3.2.

Условные графические обозначения: ГОСТ ↔ IEC ↔ ANSI

Поиск по таблице

Элемент	ГОСТ	IEC 60617	ANSI / IEEE 315	Поз. обозначение ГОСТ 2.710 / за рубежом
Резистор постоянныйResistorГОСТ 2.728Главное отличие американских схем — «пила» вместо прямоугольника.				RR
Резистор переменный (потенциометр)PotentiometerГОСТ 2.728				RR, RV
КонденсаторCapacitorГОСТ 2.728				CC
Конденсатор полярный (электролитический)Polarized capacitorГОСТ 2.728В американских схемах минусовая обкладка изогнута. Знак «+» — у плюсовой обкладки.				CC
Катушка индуктивности, дроссельInductorГОСТ 2.723				LL
ДиодDiodeГОСТ 2.730Треугольник указывает направление прямого тока: от анода к катоду (черта).				VDD (раньше CR)
СтабилитронZener diodeГОСТ 2.730				VDD, ZD
СветодиодLEDГОСТ 2.730Стрелки наружу — прибор излучает. У фотодиода стрелки направлены внутрь.				VD, HL (индикатор)D, LED
Биполярный транзистор NPNNPN transistorГОСТ 2.730Стрелка эмиттера у NPN направлена наружу, у PNP — внутрь.				VTQ
Операционный усилительOperational amplifierГОСТ 2.759По ГОСТ инвертирующий вход отмечают кружком (инверсия) на границе прямоугольника.				DAU, IC
Логический элемент «И»AND gateГОСТ 2.743ГОСТ и IEC совпадают (прямоугольник с «&»), американская форма — «пуля».				DDU, IC
ПредохранительFuseГОСТ 2.727В американских схемах встречается и прямоугольная форма, как в IEC.				FUF
Заземление, общий проводGroundГОСТ 2.721В Altium это не компонент, а порт питания (Power Port) со стилем Ground.				—— (в Altium — Power Port)
Гальванический элемент, батареяBattery cellГОСТ 2.768Длинная тонкая черта — плюс, короткая толстая — минус.				GBBT

Символы упрощены для сравнения формы; размеры и пропорции для чертежей — по указанным ГОСТ. Стандартные библиотеки Altium рисуют символы ближе к IEC/ANSI, поэтому для схем по ЕСКД обычно делают свою библиотеку (модуль 8).